Plextek RFI成为三安集成电路指定合作伙伴

　　每日财经（Mrcj88.cn）讯：

　　Plextek RFI成为三安集成电路指定5G砷化镓MMIC设计合作伙伴

　　基于三安集成电路P15EP1 砷化镓技术,Plextek RFI展示5G毫米波功放参考设计

　　加利福尼亚州森尼维尔市, Jan. 06, 2020 (GLOBE NEWSWIRE) -- 三安集成电路有限公司(SANAN-IC)今天宣布，三安集成电路已被在新兴5G市场应用砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)英国设计供应商Plextek RFI公司认可。三安集成电路有限公司是一家拥有先进化合物半导体技术平台的纯晶圆厂，而Plextek RFI则专门从事射频微波和毫米波的电路设计。

　　双方的有效合作源于Plextek RFI的单片表贴式封装四通道5G毫米波功率放大器的参考设计。该参考设计用于28GHz频谱，采用了三安集成电路的P15EP1 0.15微米6寸砷化镓增强型/耗尽型pHEMT工艺技术。近日在英国贝德福德郡举行的自动化射频和微波测量协会(ARMMS)会议上，Plextek RFI展示并介绍了该项参考设计。

　　三安集成电路首席执行官Raymond Cai表示：随着5G基础设施市场从支持sub-6GHz扩展到毫米波频谱，不同电信设备的射频前端设计活动也越来越多。我们很高兴能与Plextek RFI公司一路携手，成为合作伙伴。同时，还能利用射频工程的专业技术说明我们的全球客户拓展砷化镓集成电路设计和开发的多方资源。我们新推出的P15EP1 0.15微米6寸增强型/耗尽型pHEMT砷化镓工艺预计将被广泛运用于高性能毫米波应用，尤其是5G空间

　　Plextek RFI首席执行官Liam Devlin评论道：5G基础设施对于各式各样射频前端架构需求无一例外对高性能砷化镓集成电路设计有需求。我们很高兴为我们的客户提供创新的解决方案和设计选择，正如所呈现的，我们基于三安集成砷化镓工艺技术提供多选择、多通道的功率放大器参考设计。通过借助三安集成电路有限公司其他的砷化镓工艺和路线图，实现高性能、高度集成和高质量的射频设计，从而实现我们在设计方案的成功。

　　公司的P15EP1工艺是一项高性能的6寸砷化镓pHEMT工艺技术，高度集成了85GHz Ft和155GHz Fmax 0.15微米增强型(E-mode)晶体管，可用于功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)设计，具有增益出众、低噪声指数和高带宽的优势，同时还能结合0.5微米增强型/耗尽型器件实现单芯片逻辑。该技术平台有12层光罩，最多可做到3个金属层，背面研磨厚度能做到75微米。P15EP1是砷化镓技术P15产品系列的一部分，该系列砷化镓技术还具有其他的选项，如耗尽型晶体管、用于开关或限幅器的PiN二极管，以及明年将推出的低于0.15微米节点，支持更高频段的产品。

　　更多有关三安集成电路III-V半导体技术制造平台的信息，我们将于1月7至10日在拉斯韦加斯举行的消费电子展上为您呈现。

　　关于三安集成电路

　　三安集成电路有限公司(三安集成电路)是中国第一家6寸化合物半导体晶圆代工厂，服务于全球各地的微电子及光电市场。该公司成立于2014年，位于中国福建省厦门市，是三安光电股份有限公司(SSE代码：600703)下属的子公司。该公司拥有最尖端的III-V族化合物半导体制造设施，开发砷化镓、氮化镓外延片和衬底。三安集成电路凭借自身先进的工艺技术平台，助力全球的射频、毫米波、滤波器、电力电子、光学元器件及子系统业界发展壮大。

　　三安，让未来从芯开启，让万物智慧互联。www.sanan-ic.com Email: sales@sanan-ic.com.

　　关于Plextek RFI

　　Plextek RFI是一家专注于射频、微波/毫米波模块设计和开发的英国设计公司。公司已设计超过百款从基带到100GHz被广泛应用于基础设施的测试一起设备和大体积消费类无线设备的客制化芯片，同时公司拥有对于裸die和SMT封装组建的自有测试工具。公司的微波、毫米波模块开发包含传统的基于SMT减薄工艺、HDI、芯片打线、薄膜厚膜以及LTCC工艺。

　　媒体关系联系人

　　Raymond Biagan

　　ray@sanan-ic.com